三星拟生产3NM芯片制造工艺性能比预期高出5纳米30%

来源:周公喂鱼网

2020-01-13 18:23:56

据国外媒体1月3日报道,在芯片制造过程中,对于苹果、华为等芯片制造,台积电近年来一直处于行业前列,首批生产7纳米技术,预计将在今年第一季度生产更先进的5nm技术。

但台积电在下一代3纳米芯片制造过程中可能面临三星的挑战,后者计划率先利用这一先进技术制造芯片。

据外国媒体报道,三星电子公司的3nm工艺将采用GAA架构,这也是目前FinFET技术的继承者,这将使芯片制造商能够发展为微芯片加工。

在3nm工艺可以大规模生产之前,三星仍需要大规模生产5nm工艺,而三星去年4月完成了基于EUV技术的5nmfinfet工艺技术研究和开发。预计今年上半年将进行批量生产。

三星表示,与5nm工艺相比,3nmgaa工艺可使芯片的理论面积减少35%,能耗降低50%,性能提高30%。

亚马逊和Facebook等科技巨头没有能力制造芯片,它们已经开始开发自己的智能芯片和数据中心芯片。为了更好地适应自身业务的发展,这也将导致芯片制造需求的增加,三星一直看好这一领域的发展。去年年底,三星电子(SamsungElectronics)宣布了在未来10年投资133万亿韩圆的计划。这相当于大约114美元。用于开发芯片制造业务。

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